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      科學研究 Scientific research
      碳化硅電熱元件在不同氣氛下的使用溫度和表面負荷


      氣氛

       

      Atmosphere

      爐溫(℃)

       

      Furnace

      表面負荷

      (W/cm2

      Surface Load

      對元件的影響

       

      Effect On Elements

      解決辦法


      Solution

      1290

      3.8

      與sic作用生成甲烷減少sio2保護膜 Decreasing SiO2 protective film by Acting with SiC to generate Methane

      露點激活

      Make it active at dew point

      CO?

      1450

      3.1

      腐蝕碳化硅  Attacking sic

      用石英管保護

      Protecting by quartz tube

      18%CO

      1500

      4.0

      無影響  No

       

      20%CO

      130

      3.8

      吸附碳粒影響sio2保護膜   Affecting SiO2 protective film by Adsorbing C grains

       

      鹵素

      704

      3.8

      腐蝕碳化硅減少sio2保護膜 Decreasing SiO2 protective film by eroding SiC

      用石英管保護

      Protecting by quartz tube

      碳氫化合物

      1310

      3.1

      吸附碳粒致熱污染,分解的碳沉積,易造成電氣故障  Causing hot pollution by adsorbing C grains

      送進充分的空氣

      Filling with plenty of air

      1290

      3.1

      與sic作用反應生成甲烷,減少sic2保護膜 Decreasing SiO2 protective film by Acting with SiC to generate Methane

      露點激活

      Make it Active at dew point

      甲烷

      1370

      3.1

      吸附碳粒致熱污染  Causing hot pollution by adsorbing C grains

       

      N

      1370

      3.1

      與sic反應形成氮化硅絕緣 Generating SiN insulating layer by acting with SiC

       

      Na

      1310

      3.8

      侵蝕碳化硅  Eroding sic

      用石英管保護

      Protecting by quartz tube

      SO2

      1310

      3.8

      侵蝕碳化硅  Eroding sic

      用石英管保護

      Protecting by quartz tube

      真空

      1204

      3.8

       

       

      1310

      3.8

      碳化硅被氧化 Sic oxidized

       

      水(不同含量)

      1090-1370

      3.1-3.6

      與sic作用生成硅的水化物

      Generating hydrate of silicon by acting on SiC

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